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【问题1】DDR3那个课程,一般线速率能跑到多少?
答:本课程的DDR3内容,是基于XILINX K7芯片,使用的是VIVADO平台。DDR3的时钟频率是800M。用户侧时钟是200M。
【问题2】SDRAM和DDR3课程,使用是什么平台?
答:SDRAM部分使用的是QUARTUS平台,着重于讲解SDRAM时序和SDRAM的接口设计。 DDR3部分,使用的是VIVADO平台,着重于DDR3 IP的生成和上板验证流程。DDR3的理论部分,基本上不涉及,建议可以参考SDRAM的理论部分。
【问题3】 使用DDR3 IP一定需要读地址FIFO,读数据FIFO,写地址FIFO,写数据FIFO来先进行数据缓存吗?
答:这个理解是不对的。这里没有跨时间域的信号传输的。因为IP核会产生一个本地时钟,这个本地时钟是可以直接采集数据的,假设为clk_ddr_local。用户可以直接使用clk_ddr_local来往IP核传输数据。
好了,接下来再考虑一个场景:我有一组数据A,产生于时钟域clk;A要写到DDR,DDR的时钟域是clk_ddr_local。自然地,A要跟时钟域到clk_ddr_local,然后才能写到DDR中,这就需要用到FIFO。
接下来考虑另一个场景:我有一组数据B,产生于时钟域clk_ddr_local;B要写到DDR,DDR的时钟是clk_ddr_local。由于两个时钟域相同,直接写就好了。(通常来说,这已经不属于DDR的知识了,而是属于跨时钟域处理的知识,是FPGA工程师都应该知道的概念)。
【问题4】用户逻辑控制DDR3读写的程序不是需要自己写吗?
答:官方一般提供了DDR3的IP核。用户可以通过DDR3 IP核来进行DDR3芯片的读写。但是用户需要写逻辑来控制DDR3 IP核。
【问题5】课程里会讲如何通过DDR3 IP像写入图像吗?
答:课程中的SDRAM部分,会有例子讲如何写入图像到SDRAM中,DDR3/4也是类似的。但由于每人的项目不同,所以需要学员根据自己情况来移植。
【问题6】如何知道ddr3里不空,可以读取了?
答:DDR3和RAM一样,是一个存储器件,它的每个内部单元都存储了当前的数据状态值。但DDR3和RAM本身,是没有“空”、“存有数据”,“数据满”等概念的。只要给地址,它就会把当前地址的数据给到总线上,而且这个地址可以读很多次。在设计的时候,是由设计师用自己写逻辑来判断DDR3是否为空。
【问题7】请问这个sdram的自动刷新命令发送后,是不是刷新的是所有bank的同一行都在执行刷新呀?也就是说刷新的是不同bank的同一行,是不是这样理解?
答:是的。发送一个自动刷新命令,所有BANK同一行都会刷新。
【问题8】请问有ddr3的IP核手册吗?(altera的)
答:IP核不同,界面会所不同,但一般都会提供下载链接的。VIVADO、ISE等,也是同样的情况
【问题9】做一个用到ddr4的项目,有一个ddr3的例程,不知道怎么改成ddr4?
答:百度搜索找资料,按流程配置就好,这个我们没有教程,只能看数据手册
【问题10】下图中的自刷新有啥区别?
答:上电后,要经过初始化,初始化中要有两次刷新动作;当初始化完成后,才是每隔一段时间,要自刷新一次
【问题11】如下图所示,为什么在接口中,一般要锁存住地址addr、写数据wdata等?不锁存不行吗?
答:如上图所示,假设在第2~6时钟时刻,addr的值为2,表示此时要写地址2。本模块收到此请求后,会在后面如第7~10时钟,产生写地址为“2”的时序。但注意,在第7~10,addr的值还是不是2呢?可能不是了。
【问题12】请问连接ddr3 ip核与mem_burst时,有些端口未定义。内些未定义的端口怎么办?
答:
1. 本课程提示的案例,经过上板验证是可以的,如果不可以,请及时向老师反映。
2. 本例程验证过是可以的,因此例化时未连接的信号,就说明对本例程来说不用关心,不用使用。
3. 如果您要想关心这些信号,可以阅读数据手册,了解该信号含义。
【问题13】问题:请问老师xilinx FPGA的HR bank的 lvds接口可以驱动250Mhz DDR adc 吗?我一直只能跑到100Mhz ,不知道是不是我的时序有问题?
答:
1、首先请确认使用的芯片是否支持该DDR的速率;
2、如果支持的话,请严格按照设计规范进行设计;
3、同时请检查该开发板的pcb原理图的设计是否合适,例如pcb的走线是否等长,或者pcb的板材是否合适、阻抗是否匹配......这些都会影响DDR的速率。
【问题14】问: 有 vivado 下 DDR模型和参数不?用于仿真?
答:vivado DDR可以生成对应的例程,可以用于仿真。具体操作步骤可以百度搜索一下,例如:Xilinx VIVADO中DDR3 IP核的使用(1)_朽月的博客-CSDN博客_xilinx ddr 自动刷新
【问题15】问:SDRAM中将刷新时间改为1300的意义何在?
答:如果以1562个为周期,当时间到了之后,如果此时处于写或读操作状态,就要等一段时间再进行刷新操作,这样刷新间隔就会大于1562,不满足要求。
【问题16】问:请问在边缘检测的项目中,输入输出数据是25M,SDRAM的工作时钟是100M,这种情况下读写效能是多少呀?
答:SDRAM读写总线效能一般计算:SDRAM的工作时钟 * 数据位宽 *70% 。(注意:其中70%是指减去sdram的一些操作占用后的效能,70%的数值是经验之谈,请根据实际情况变更数值)
【问题17】问:SDRAM工程中,读写请求是一个脉冲,还是连续的电平?
答:在MDY自定义的接口中,读写请求是一个持续为高的电平信号,一直拉高直到模块响应为止。拉高一个电平为表示读写一次。
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